транзистор с баллистическим отклонением

 

транзистор с баллистическим отклонением
В транзисторе с баллистическим отклонением (ballistic deflection transistor, BDT) отдельный электрон пропускается через поляризованный затвор и отражается от клиновидного препятствия. Электрическое поле затвора отклоняет электрон к одной или другой стороне канала так, что он отталкивается от правой или от левой грани клина и отражается вправо или влево, что соответствует логическому нулю или логической единице (подробно схему работы технологии можно посмотреть на сайте www.Physorg.com).
[http://www.morepc.ru/dict/]

Тематики

• информационные технологии в целом

EN

• ballistic deflection transistor
• BDT